<เทคนิค>เทคนิค จุลทรรศน์แบบแสง<ชื่อการทดสอบ>การเตรียมตัวอย่างงาน <ความสามารถ>เตรียมตัวอย่างงานงานวัสดุชนิดต่าง ๆเพื่อให้ได้คุณลักษณะที่ตรงตามข้อกำหนดของการนำไปวิเคราะห์งานระดับจุลภาคด้วยเครื่องมือทดสอบวิเคราะห์ชนิดต่างๆ เช่นการวิเคราะห์รูปสัณฐานระดับจุลภาคในวัสดุต่างๆ การทดสอบสมบัติทางกล และการวิเคราะห์ความ เสียหาย เป็นต้น <คำอธิบาย>งานเตรียมตัวอย่างงานใช้หลักการทางโลหะวิทยา ประกอบด้วยขั้นตอน ดังนี้ การตัด การขึ้นเรือน การขัด การกัดขึ้นรอย (กรณีตรวจสอบโครงสร้างจุลภาค) ผลิตภัณฑ์จากวัสดุชนิดต่าง ๆ เช่น เซรามิกส์ โลหะ อโลหะ โพลิเมอร์ เป็นต้น<ชื่อเครื่อง/รุ่น>Cutting Machine (Struers, ExotomM) Precision Cutting Machine (Struers, Accutom50) Mounting Machine (Struers, Predopress) Polishing Machine (Struers, Rotopol25) Grinder/Polisher Machine (Buehler, Phoenix Beta) Vibratory Polisher (Buehler, Vibratory) <เทคนิค>เทคนิค จุลทรรศน์แบบแสง<ชื่อการทดสอบ>การทดสอบรูปสัณฐานของวัสดุชนิดต่าง ๆ ในระดับมหภาค และจุลภาค<ความสามารถ>วิเคราะห์รูปสัณฐานระดับมหภาคของวัสดุชนิดต่างๆ เช่น ตำหนิ หรือร่องรอยความเสียหายที่เกิดขึ้นบนตัวอย่างงานจากผลิตภัณฑ์ต่าง ๆ วิเคราะห์รูปสัณฐานในระดับจุลภาค ได้แก่ 1) ตรวจสอบโครงสร้างจุลภาคของวัสดุ 2) ตรวจสอบความหนาชั้นเคลือบของวัสดุ 3) ตรวจสอบปริมาณองค์ประกอบ และปริมาณรูพรุนของวัสดุ 4) ตรวจสอบความสมบูรณ์ของรอยเชื่อมของวัสดุชนิดต่าง ๆ เช่น รอยเชี่อมระหว่าง IC และ PCB board หรือ รอยเชื่อมของผลิตภัณฑ์ต่าง ๆ 5) ตรวจสอบตำหนิที่เกิดขึ้นในผลิตภัณฑ์ต่าง ๆ <คำอธิบาย> การตรวจสอบรูปสัณฐานระดับมหภาค สามารถตรวจสอบได้ทั้งตัวอย่างงานที่ผ่าน หรือไม่ได้ผ่านขั้นตอนการเตรียมตัวอย่างงาน โดยอาศัยหลักการจุลทรรศน์ศาสตร์ของแสงชนิดสเตอริโอ การตรวจสอบรูปสัณฐานระดับจุลภาค ตัวอย่างงานต้องผ่านขั้นตอนการเตรียมตัวอย่างงาน และเทคนิคการเตรียมที่ตรงตามวัตถุประสงค์การตรวจสอบงาน โดยอาศัยหลักการจุลทรรศน์ศาสตร์ของแสงตกกระทบ หรือแสงชนิดโพลาไรซ์ผลิตภัณฑ์จากวัสดุชนิดต่าง ๆ เช่น เซรามิกส์ โลหะ อโลหะ โพลิเมอร์ เป็นต้น<ชื่อเครื่อง/รุ่น>Reflected Light Microscope (ZEISS, Axiotech) Zoom Stereomicroscope (ZEISS, Stemi 2000) Polarized Microscope (ZEISS, Axioskop) Metallurgical Microscope (Olympus, BH2UMA) Software of Image Pro® Plus (Media Cybernetic, Inc. Version 5.1 for Windows TM) <เทคนิค>เทคนิค จุลทรรศน์แบบแสง<ชื่อการทดสอบ>การตรวจสอบแร่ใยหินที่ปนเปื้อนในผลิตภัณฑ์ หรือ วัตถุดิบชนิดต่าง ๆ<ความสามารถ>ตรวจสอบหาแร่ใยหินชนิดไครโซไทล์ในเชิงคุณภาพ ที่ปนเปื้อน ในผลิตภัณฑ์ หรือวัตถุดิบชนิด ต่าง ๆ <คำอธิบาย>การตรวจสอบหาแร่ใยหินอาศัยหลักการพิจารณาจากรูปสัณฐานของเส้นใยที่ตรงตามลักษณะ asbestiform (ลักษณะเฉพาะของแร่ใยหิน) จากเทคนิคจุลทรรศน์ชนิดอิเล็กตรอน หรือ Scanning Electron microscope (SEM) และหลักการคุณสมบัติทางแสงโพลาไรซ์ผลิตภัณฑ์ หรือวัตถุดิบต่าง ๆ ที่มีข้อกำหนดห้ามไม่ให้มีแร่ใยหินปนเปื้อน<ชื่อเครื่อง/รุ่น>Polarized Microscope (ZEISS, Axioskop) Scanning Electron Microscope (SEM, Hitachi S3400N) <เทคนิค>เทคนิค จุลทรรศน์แบบแสง<ชื่อการทดสอบ>การตรวจสอบวิเคราะห์ความเสียหาย ในผลิตภัณฑ์ต่าง ๆของวัสดุกลุ่มโลหะ และอโลหะ<ความสามารถ>วิเคราะห์หาสาเหตุเบื้องต้น ความเสียหายรูปแบบต่าง ๆ ที่เกิดขึ้นกับผลิตภัณฑ์ต่าง ๆ ของวัสดุกลุ่มโลหะ และอโลหะ<คำอธิบาย>การวิเคราะห์หาสาเหตุ อาศัยหลักการทาง 1.     โลหะวิทยา 2.     การวิเคราะห์ความเสียหาย 3.     การเตรียมตัวอย่างทางโลหะวิทยา 4.     การตรวจสอบตัวอย่างงานด้วยเทคนิคจุลทรรศน์แบบแสง 5.     การตรวจสอบตัวอย่างงานด้วยเทคนิคจุลทรรศน์ชนิดอิเล็กตรอนผลิตภัณฑ์ในกลุ่มโลหะ และอโลหะที่เกิดความเสียหาย<ชื่อเครื่อง/รุ่น>Reflected Light Microscope (ZEISS, Axiotech) Zoom Stereomicroscope (ZEISS, Stemi 2000) Metallurgical Microscope (Olympus, BH2UMA) Software of Image Pro® Plus (Media Cybernetic, Inc. Version 5.1 for Windows TM) Scanning Electron Microscope (SEM, Hitachi S3400N) <เทคนิค> เทคนิค Scanning Electron Microscopy (SEM) <ชื่อการทดสอบ>การวิเคราะห์โครงสร้างและองค์ประกอบธาตุด้วยเทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกนนิงและจุลวิเคราะห์<ความสามารถ>วิเคราะห์โครงสร้างพื้นผิวในระดับจุลภาคที่กำลังขยายสูงถึง 20,000 เท่า ทั้งในสภาวะสุญญากาศสูง (ความสามารถในการแยกแยะเชิงระยะทาง 3 nm ที่ 30 kV) และสภาวะสุญญากาศต่ำ (ความสามารถในการ 4 nm ที่ 30 kV) (ขึ้นกับชนิดของวัสดุ) พร้อมอุปกรณ์วิเคราะห์ธาตุ และอุปกรณ์วิเคราะห์เฟสโครงสร้าง <คำอธิบาย>เป็นการยิงอิเล็กตรอนแบบสแกนนิงลงบนผิวตัวอย่าง โดยอาศัยแหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบเทอร์มิออนิคสามารถวิเคราะห์ได้ทั้งในสภาวะสุญญากาศสูงสำหรับวัสดุที่นำไฟฟ้า และสภาวะสุญญากาศต่ำสำหรับวัสดุที่ไม่นำไฟฟ้าและไม่ต้องการฉาบเคลือบผิว มีอุปกรณ์ตรวจรับอิเล็กตรอนแบบทุติยภูมิ อุปกรณ์ตรวจรับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับ อุปกรณ์วิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงาน โดยตรวจจับสัญญาณเอ็กซเรย์พลังงานสูงด้วย EDS detector และอุปกรณ์วิเคราะห์เฟสโครงสร้าง โดยตรวจจับการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนกระเจิงกลับด้วย EBSD detector เป็นของแข็ง แห้ง ขนาดไม่เกิน 3x3x3 cm<ชื่อเครื่อง/รุ่น>Scanning Electron Microscopy (SEM) ยี่ห้อ: Hitachi รุ่น: S3400N with EDS/EBSD <เทคนิค> เทคนิค Scanning Electron Microscopy (SEM) <ชื่อการทดสอบ>การวิเคราะห์โครงสร้างและองค์ประกอบธาตุด้วยเทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกนนิงและจุลวิเคราะห์<ความสามารถ>วิเคราะห์โครงสร้างพื้นผิวที่กำลังขยายสูงถึง 1,000,000 เท่า สามารถวิเคราะห์ได้ที่ศักย์เร่งอิเล็กตรอนต่ำถึง 10 V มีความสามารถแยกแยะเชิงระยะทางได้ประมาณ 8 Å ที่ 1 kV (ขึ้นกับชนิดของวัสดุ) พร้อมอุปกรณ์วิเคราะห์ธาตุและสารประกอบธาตุ <คำอธิบาย>เป็นการยิงอิเล็กตรอนแบบสแกนนิงลงบนผิวตัวอย่าง โดยอาศัยแหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบฟิลด์อีมิชชันที่ให้ลำอิเล็กตรอนขนาดเล็ก ทำให้สามารถศึกษารายละเอียดพื้นผิวขนาดเล็กระดับไมโครหรือนาโนได้ โดยที่ศักย์เร่งอิเล็กตรอนต่ำยังให้ความคมชัดของภาพมากกว่าใช้แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบเทอร์มิออนิค นอกจากนี้ยังมีอุปกรณ์ตรวจรับอิเล็กตรอนแบบทุติยภูมิ อุปกรณ์ตรวจรับอิเล็กตรอนแบบกระเจิงกลับ และอุปกรณ์วิเคราะห์ธาตุ โดยตรวจจับสัญญาณเอ็กซเรย์พลังงานสูงด้วย EDS detector และวิเคราะห์ธาตุและสารประกอบธาตุ โดยตรวจจับสัญญาณเอ็กซเรย์พลังงานต่ำด้วย Soft Xray detector เป็นของแข็ง แห้ง ขนาดไม่เกิน 3x3x3 cm<ชื่อเครื่อง/รุ่น>FESEM ยี่ห้อ: JEOL รุ่น: JSM7800F (Prime) with EDS/SXES <เทคนิค>เทคนิค Transmission Electron Microscopy (TEM)<ชื่อการทดสอบ>การวิเคราะห์ TEM (Transmission electron microscope) <ความสามารถ>ภาพถ่ายกำลังแยกแยะสูง (highresolution image) รูปแบบการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอน (electron diffraction pattern)<คำอธิบาย> ภาพถ่ายกำลังขยายสูง เป็นการวิเคราะห์ตัวอย่างในลักษณะของภาพถ่าย โดยภาพที่ได้จะเป็นภาพฉาย 2 มิติ และมีกำลังแยกแยะสูงสุด 0.23 นาโนเมตร รูปแบบการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอน เป็นการวิเคราะห์ด้านโครงสร้างผลึก ณ. บริเวณจำเพาะ ของตัวอย่าง ในเบื้องต้นสามารถบอกได้ถึงความเป็นระเบียบของโครงสร้างผลึก ณ.บริเวณตัวอย่างนั้น ๆเส้นผ่านศูนย์กลางไม่เกิน 3 มิลลิเมตร ความหนาไม่เกิน 100 นาโนเมตร ตัวอย่างแห้งสนิท ตัวอย่างสามารถทนต่อลำอิเล็กตรอนที่มีความเร่ง 200kV ได้<ชื่อเครื่อง/รุ่น>Transmission electron microscopy (TEM) ยี่ห้อ : JEOL รุ่น : JEM2010 <เทคนิค>เทคนิค Xray Computed Tomography (XCT)<ชื่อการทดสอบ>การวิเคราะห์ข้อมูลโครงสร้างด้วยเทคนิค Xray Computed Tomography (XCT)<ความสามารถ> วิเคราะห์โครงสร้างของวัสดุด้วยการถ่ายภาพโดยรังสีเอกซเรย์ ขนาดจุดภาพสามมิติ (Voxel Size) ของเครื่องอยู่ที่ 0.5 – 75 ไมโครเมตร (ขึ้นกับชนิดและขนาดของตัวอย่าง) สามารถวิเคราะห์ตัวอย่างได้ที่ความต่างศักย์ไฟฟ้าไม่เกิน 240 กิโลโวลต์และกำลังไฟฟ้าไม่เกิน 320 วัตต์ วิเคราะห์ได้ทั้งพื้นผิวภายนอกและภายในโดยไม่ทำลายตัวอย่าง การใช้ Analysis Software วิเคราะห์โครงสร้างและจำลองภาพ สามมิติ<คำอธิบาย>เป็นการยิงรังสีเอกซเรย์ผ่านตัวอย่างสำหรับภาพวิเคราะห์สองมิติ หรือเก็บชุดภาพจากตัวอย่างที่มุมต่างๆ สำหรับจำลองภาพสามมิติเพื่อศึกษาโครงสร้าง หรือจุดบกพร่องในตัวอย่าง Analysis Software ใช้วิเคราะห์ข้อมูลจากภาพของตัวอย่าง เช่น การวิเคราะห์รูพรุน/อนุภาค, การวิเคราะห์วัสดุแบบผง/โฟม, การวิเคราะห์เส้นใย/วัสดุผสม, การเปรียบเทียบตัวอย่าง/วัดขนาด และการทำCAD/meshขนาดสูงไม่เกิน 400 มิลลิเมตร ขนาดกว้างไม่เกิน 420 มิลลิเมตร (นับรวมระยะของการหมุนรอบตัวเอง) น้ำหนักไม่เกิน 20 กิโลกรัม <ชื่อเครื่อง/รุ่น>Xray Computed Tomography ยี่ห้อ: Waygate technologies รุ่น: Phoenix V|tome|x M240 3D Reconstruction Software: Datos|x Analysis Software : VGStudio MAX (2023) <เทคนิค xsi:nil="true" /><ชื่อการทดสอบ xsi:nil="true" /><ความสามารถ xsi:nil="true" /><คำอธิบาย xsi:nil="true" /><ชื่อเครื่อง/รุ่น xsi:nil="true" /> <เทคนิค xsi:nil="true" /><ชื่อการทดสอบ xsi:nil="true" /><ความสามารถ xsi:nil="true" /><คำอธิบาย xsi:nil="true" /><ชื่อเครื่อง/รุ่น xsi:nil="true" />